数据列表：BSD316SN

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.4A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 1.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 3.7µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.6nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：94pF @ 15V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：PG-SOT363-6

其它名称：BSD316SN L6327-NDBSD316SN L6327INTRSP000442462